RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
48
Около 42% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
48
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
2196
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link