RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB против Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
19.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1988
3314
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston 9905403-831.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link