RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
42
Около 17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.4
12.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
10.2
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
42
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2701
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link