RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
39
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
11.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
30
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1749
2374
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link