RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сравнить
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
56
79
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.3
1,813.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
79
Скорость чтения, Гб/сек
4,387.7
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,813.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
693
1651
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
TwinMOS 8D7T5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link