RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
35
Около 26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
9.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2143
2126
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link