RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3076
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link