RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
51
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
34
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
3343
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link