RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
52
Около -79% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.7
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2407
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link