RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB против Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
52
59
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
52
59
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2179
2181
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link