RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
49
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2502
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link