RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.3
16.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3845
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link