RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
33
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3075
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link