RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
9.2
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
5.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
54
Около -23% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
44
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
8.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
1660
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link