RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
21.6
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
21.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
3684
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHI6DFSEG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link