RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2614
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link