RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.3
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2653
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB Сравнения RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link