RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сравнить
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.4
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2057
2397
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link