RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
42
Около -83% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
2561
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link