RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
10.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
104
Около -271% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2505
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link