RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
12.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
104
Около -247% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
30
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
16.1
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2882
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link