RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3614
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link