RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,404.5
13.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
104
Около -259% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
3146
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link