Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Средняя оценка

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 18.7

Среднее значение в тестах

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Причины выбрать
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

56 104

Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.9 2,404.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

104 56
Скорость чтения, Гб/сек

3,192.0 18.7
Скорость записи, Гб/сек

2,404.5 8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

786 2235

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

Kingston 9905700-012.A00G 8GB

модули RAM

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB

модули RAM

Kingston 99U5702-089.A00G 8GB

Kingston 99U5702-089.A00G 8GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

AMD R7S48G2400U2S 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB

модули RAM