RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
73
104
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.1
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
73
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
15.2
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
1843
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link