Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Средняя оценка

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

3 19.9

Среднее значение в тестах

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

19 73

Около -284% меньшая задержка
Выше скорость записи

18.4 1,423.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 5300

Около 3.62 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

73 19
Скорость чтения, Гб/сек

3,510.5 19.9
Скорость записи, Гб/сек

1,423.3 18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 19200

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

476 3834

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB

модули RAM

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

Kingston 9905630-048.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Kingston 9905403-437.A01LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB

модули RAM

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB

модули RAM

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB

модули RAM