RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
73
Около -217% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.1
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
3116
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link