RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
73
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
14.1
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2931
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link