RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
68
76
Около 11% меньшая задержка
Выше скорость чтения
3
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.9
1,702.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
68
76
Скорость чтения, Гб/сек
3,886.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
1,702.6
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
654
1859
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link