RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
64
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,869.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
33
Скорость чтения, Гб/сек
4,477.7
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,869.1
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
697
2800
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kllisre 0000 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link