RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сравнить
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
46
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.9
16.0
Скорость записи, Гб/сек
12.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2936
2925
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link