RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.5
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около -41% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
14.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2426
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link