RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
62
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
9.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.8
15.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
62
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
16.8
Скорость записи, Гб/сек
12.0
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
2138
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link