RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Сравнить
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
47
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
11.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.9
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
33
Скорость чтения, Гб/сек
11.8
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2061
2466
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link