RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1939
2846
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link