RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
45
Около -105% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.0
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3139
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965640-015.A00G 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link