RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
45
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
19.3
Скорость записи, Гб/сек
8.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
3701
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Inmos + 256MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link