RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston 9905625-076.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
45
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.7
Скорость записи, Гб/сек
8.0
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2631
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link