RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB против Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Средняя оценка
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
45
Около -22% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
45
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1992
2486
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link