RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
43
48
Около -12% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
43
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2615
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link