RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
20.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3773
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Lenovo 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link