RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
2417
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link