RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.3
Скорость записи, Гб/сек
9.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2706
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link