RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
40
Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.2
Скорость записи, Гб/сек
8.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3515
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link