RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
40
Около -74% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2936
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link