RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
27
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.5
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
19.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
3840
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB Сравнения RAM
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link