RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
27
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.3
12.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.2
17.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1763
2994
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NF-CG 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link