RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 65
    Около 29% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    13.6 left arrow 8.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.5 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 65
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.2 left arrow 17.5
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.6 left arrow 8.7
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2717 left arrow 1921

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
модули RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
модули RAM
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
модули RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
модули RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
модули RAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
модули RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
модули RAM