RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
20.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3925
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link