SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB против Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    15 left arrow 13.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    25 left arrow 36
    Около -44% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    12.1 left arrow 10.1
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR5
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 25
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.0 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    10.1 left arrow 12.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow no data / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2657 left arrow 3419
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения